Samsung ตั้งเป้าพัฒนา 10nm 3DS DRAM จุมากขึ้นและเสถียรกว่าเดิม!!

Samsung ไม่ใช่มือใหม่ด้านนวัตกรรมแต่อย่างใด แม้ว่าโดยมากจะไม่ออกมาในแบบที่บริษัทต้องการก็ตาม ล่าสุด บริษัทกำลังทำงานอยู่กับ 3DS (three-dimensional stacked) DRAM module generation ใหม่ ซึ่งจะอยู่บน 10-nm process และยังจับมือกับ SAP ในการพัฒนา in-memory computing ซึ่งเป็นแนวทางในการจัดการกับข้อมูลจำนวนมากใน database อย่างรวดเร็ว

สำหรับผู้บริโภค ข่าวนี้อาจยังไม่มีความสลักสำคัญมากนัก แต่นี่ถือเป็นวิธีการใหม่ที่น่าทึ่ง และสิ่งที่ค้นพบในระหว่างพัฒนาเทคโนโลยีนี้ จะนำมาปรับใช้กับเทคโนโลยีในชีวิตประจำวันได้ในที่สุด ซึ่งถ้าหากสำเร็จได้ด้วยดี บริษัทจะมีศักยภาพในการแข่งกันกับเทคโนโลยี 3D XPoint ของ Intel ซึ่งจะทำให้ SSD มีความเร็วเพิ่มขึ้นได้ทันที

ขณะนี้ Samsung มี 20-nm ขนาด 24TB และ 3DS DDR4 ขนาด 128GB รัน application ของ SAP ใน memory อยู่แล้ว และหวังว่าจะทำได้ใน 3DS module ขนาด 256GB ในเวลาอันใกล้นี้เช่นกัน แม้จะยังต้องการเงินลงทุนจำนวนมากก็ตาม แต่เชื่อว่าอีกไม่นาน คนส่วนใหญ่จะเข้าถึง in-memory computing กันได้ ซึ่งจะมีความเร็วอย่างเหลือเชื่อ ทำงานในลักษณะเดียวกับ RAM แต่มีความจุและความเสถียรมากกว่ามาก

Source : www.eteknix.com

it-reborn
Facebook Comments